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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

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Éditeur :

Wiley-IEEE Press


Paru le : 2004-04-05

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Description
A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Pages
648 pages
Collection
n.c
Parution
2004-04-05
Marque
Wiley-IEEE Press
EAN papier
9780471238454
EAN PDF
9780471660996
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
0
Nombre pages imprimables
648
Taille du fichier
33761 Ko
Prix
203,56 €

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